完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減 (集積回路)

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完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減

(集積回路)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024831206
資料種別
記事
著者
水谷 朋子ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2013-08
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(173):2013.8.1・2
掲載ページ
p.47-52
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
水谷 朋子
山本 芳樹
槇山 秀樹 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Reduced Cell Current Variability in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM Cells at Supply Voltage of 0.4V
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
113(173):2013.8.1・2
掲載巻
113
掲載号
173