有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定 (電子デバイス)

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有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定

(電子デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025087279
資料種別
記事
著者
桒田 宗一郎ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2013-11
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(329):2013.11.28・29
掲載ページ
p.67-70
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
桒田 宗一郎
小泉 淳
藤原 康文
シリーズタイトル
並列タイトル等
Deep-level transient spectroscopy study on defect levels in Eu,Si-codoped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
113(329):2013.11.28・29
掲載巻
113
掲載号
329