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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 大澤 隆小池 洋紀三浦 貞彦 他
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- A 1Mb STT-MRAM for Nonvolatile Embedded Memories performing 1.5ns/2.1ns Random Read/Write Cycle Time : Background Write (BGW) Scheme applied to a 6T2MTJ Memory Cell
- タイトル（掲載誌）
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 114(13):2014.4.17・18
- 掲載巻
- 114
- 掲載号
- 13