触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布 (機構デバイス 材料デバイスサマーミーティング)

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触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布

(機構デバイス 材料デバイスサマーミーティング)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025590549
資料種別
記事
著者
中村 友紀ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-06-20
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(94):2014.6.20
掲載ページ
p.43-48
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
中村 友紀
石塚 侑己
山口 直也 他
並列タイトル等
Crystalline structure and dislocation distribution of ZnO thin films grown on a-plane sapphire substrates using high-energy H₂O produced by a Pt-catalyzed H₂ and O₂ reaction
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
114(94):2014.6.20
掲載巻
114
掲載号
94