触媒反応生成高エネル...

触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に堆積した窒素ドープZnO薄膜の成長 (電子部品・材料 材料デバイスサマーミーティング)

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触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に堆積した窒素ドープZnO薄膜の成長

(電子部品・材料 材料デバイスサマーミーティング)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
025590769
Material type
記事
Author
大橋 優樹ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2014-06-20
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(95):2014.6.20
Publication Page
p.49-53
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
大橋 優樹
叶内 慎吾
山口 直也 他
Alternative Title
Epitaxial growth of nitrogen-doped ZnO thin films on a-plane sapphire substrates using high-energy H₂O generated by a catalytic reaction
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
114(95):2014.6.20
Volume
114
Issue
95