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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号114巻95号 2014年6月20日
記事溶液成長法により作製...

溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 : 中間層挿入と熱処理 (電子部品・材料 材料デバイスサマーミーティング)

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溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 : 中間層挿入と熱処理

(電子部品・材料 材料デバイスサマーミーティング)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025590801
資料種別
記事
著者
寺迫 智昭ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-06-20
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(95):2014.6.20
掲載ページ
p.61-66
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紙

資料種別
記事
タイトル
溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 : 中間層挿入と熱処理
著者・編者
寺迫 智昭
村上 聡宏
兵頭 篤 他
シリーズタイトル
電子部品・材料 材料デバイスサマーミーティング
著者標目
寺迫 智昭
村上 聡宏
兵頭 篤
並列タイトル等
Improvement of Electrical Properties of n-ZnO/p-CuO Heterojunctions Prepared by Chemical Bath Deposition : Insertion of Intermediate Layer and Thermal Annealing
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
114(95):2014.6.20
掲載巻
114
掲載号
95