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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号114(416)-114(421):2015.1.26-2015.1.27
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Analytical formulation of interfacial SiO₂ scavenging in HfO₂/SiO₂/Si stacks (シリコン材料・デバイス ; 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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Analytical formulation of interfacial SiO₂ scavenging in HfO₂/SiO₂/Si stacks

(シリコン材料・デバイス ; 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
026148527
資料種別
記事
著者
李 秀妍ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2015-01-27
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(421):2015.1.27
掲載ページ
p.1-4
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紙

資料種別
記事
タイトル
Analytical formulation of interfacial SiO₂ scavenging in HfO₂/SiO₂/Si stacks
著者・編者
李 秀妍
矢嶋 赳彬
西村 知紀 他
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス ; 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
著者標目
李 秀妍
矢嶋 赳彬
西村 知紀
並列タイトル等
HfO₂/SiO₂/SiゲートスタックにおけるSiO₂スカベンジング現象の定式化 HfO ₂/SiO ₂/Si ゲートスタック ニ オケル SiO ₂ スカベンジング ゲンショウ ノ ジョウシキカ
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
114(421):2015.1.27
掲載巻
114
掲載号
421