ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 (機構デバイス)

ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現

(機構デバイス)

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資料種別: 記事
タイトル: ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現
著者・編者: 山﨑はるか
石河泰明
藤井茉美他
シリーズタイトル: 機構デバイス
著者標目: 山﨑はるか
石河泰明
藤井茉美
並列タイトル等: Highly reliable a-InGaZnO thin-film transistors with fluorine in a gate insulator
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 115(195):2015.8.27・28
掲載巻: 115
掲載号: 195
掲載ページ: 9-11
掲載年月日（W3CDTF）: 2015-08
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 薄膜トランジスタ
a-IGZO
ゲート絶縁膜
信頼性
フッ素
thin-film transistor
gate insulator
reliability
fluorine
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: EMD2015-32
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 026740680
http://id.ndl.go.jp/bib/026740680
整理区分コード: 632