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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 広瀬 真由美松下 景一高木 一考
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- High-temperature GaN HEMT Degradation Affected by Silicon Nitride Film Conductivity
- タイトル（掲載誌）
- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 2016(36-45):2016.3.28・29
- 掲載巻
- 2016
- 掲載号
- 36-45