高耐圧GaN-HEMTのアバランシェ耐量とそのメカニズム (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

高耐圧GaN-HEMTのアバランシェ耐量とそのメカニズム

(電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

掲載誌名: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2016(46-53・55-62):2016.11.14

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資料種別: 記事
タイトル: 高耐圧GaN-HEMTのアバランシェ耐量とそのメカニズム
著者・編者: 仲敏行
齋藤渉
シリーズタイトル: 電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
著者標目: 仲敏行
齋藤渉
並列タイトル等: UIS Withstanding Capability and Mechanism of High Voltage GaN-HEMTs
タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
巻号年月日等（掲載誌）: 2016(46-53・55-62):2016.11.14
掲載巻: 2016
掲載号: 46-53・55-62
掲載ページ: 19-23
掲載年月日（W3CDTF）: 2016-11-14
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: GaN-HEMT
p型GaNゲート構造
アバランシェ耐量
p-type GaN gate structure
unclamped inductive switching withstanding capability
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: EDD-16-49
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z43-225
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 027783473
http://id.ndl.go.jp/bib/027783473
整理区分コード: 632