平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

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平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術(電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

国立国会図書館請求記号
Z43-225
国立国会図書館書誌ID
027784079
資料種別
記事
著者
金田 寛ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2016-11-15
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2016(63-77):2016.11.15
掲載ページ
p.61-64
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
金田 寛
大村 一郎
並列タイトル等
Dual laser beam technique to evaluate bulk lifetime of free carriers in silicon wafers
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2016(63-77):2016.11.15
掲載巻
2016
掲載号
63-77