書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 大澤 一斗野口 真司祢津 誠晃木瀬 信和宮本 恭幸
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Dependence of Electron Mobility on Deposition Temperature and H₂ Annealing in MOSFETs with HfO₂/Al₂O₃/InGaAs Gate Stacks
- タイトル（掲載誌）
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 116(431):2017.1.26・27
- 掲載巻
- 116
- 掲載号
- 431