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150kHz帯バースト大電力ICP(ICIS)によるシリコンウエハエッチング (プラズマ パルスパワー 放電 合同研究会 プラズマ・放電・パルスパワー一般)

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150kHz帯バースト大電力ICP(ICIS)によるシリコンウエハエッチング

(プラズマ パルスパワー 放電 合同研究会 プラズマ・放電・パルスパワー一般)

国立国会図書館請求記号
Z43-224
国立国会図書館書誌ID
028305018
資料種別
記事
著者
行村 建ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2017-05-13
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. ED = The papers of technical meeting on electrical discharges, IEE Japan / 放電研究会 [編] 2017(21-24・26・27・29-37):2017.5.13
掲載ページ
p.1-4
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
行村 建
小木曽 久人
中野 禅
板垣 宏和
並列タイトル等
Silicon wafer sample etching by ICIS with 150kHz frequency band
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. ED = The papers of technical meeting on electrical discharges, IEE Japan / 放電研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2017(21-24・26・27・29-37):2017.5.13
掲載巻
2017
掲載号
21-24・26・27・29-37