低In、Ga領域にお...

低In、Ga領域における低温塗布プロセスIGZO薄膜トランジスタの作製と評価 (誘電・絶縁材料 電子材料合同研究会 ナノ構造制御有機薄膜・デバイス,フレキシブルデバイス,バイオエレクトロニクス)

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低In、Ga領域における低温塗布プロセスIGZO薄膜トランジスタの作製と評価

(誘電・絶縁材料 電子材料合同研究会 ナノ構造制御有機薄膜・デバイス,フレキシブルデバイス,バイオエレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z43-227
国立国会図書館書誌ID
028361297
資料種別
記事
著者
工藤 一浩ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2017-06
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. DEI 2017(63-71):2017.6.29・30
掲載ページ
p.29-32
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
工藤 一浩
田中 光
山内 博
岡田 悠悟
酒井 正俊
並列タイトル等
Fabrication and evaluation of low temperature solution processed IGZO thin film transistor with low rare metal composition
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. DEI
巻号年月日等(掲載誌)
2017(63-71):2017.6.29・30
掲載巻
2017
掲載号
63-71