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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
117(191):2017.8.31・9.1
記事
招待講演 Biを媒介...
招待講演 Biを媒介したIn(Ga)As並びにGeナノドットの自己形成 (信頼性)
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招待講演 Biを媒介したIn(Ga)As並びにGeナノドットの自己形成
(信頼性)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
028508858
資料種別
記事
著者
岡本 浩ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2017
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(191):2017.8.31・9.1
掲載ページ
p.1-6
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
招待講演 Biを媒介したIn(Ga)As並びにGeナノドットの自己形成
著者・編者
岡本 浩
俵 毅彦
舘野 功太
章 国強
後藤 秀樹
シリーズタイトル
信頼性
著者標目
岡本 浩
俵 毅彦
舘野 功太
章 国強
後藤 秀樹
並列タイトル等
Self-organized formation of In(Ga)As and Ge nanodots mediated by bismuth
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
117(191):2017.8.31・9.1
掲載巻
117
掲載号
191
掲載ページ
1-6
掲載年月日(W3CDTF)
2017
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
ナノドット
量子ドット
サーファクタント
InAs
InGaAs
Ge
nanodots
quantum dots
surfactant
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
R2017-24
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
028508858
http://id.ndl.go.jp/bib/028508858
整理区分コード
632
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