Si上半導体薄膜DR...

Si上半導体薄膜DRレーザの低電流・高速動作化について (電磁界理論研究会・フォトニック NW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般)

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Si上半導体薄膜DRレーザの低電流・高速動作化について

(電磁界理論研究会・フォトニック NW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般)

国立国会図書館請求記号
Z43-228
国立国会図書館書誌ID
028818843
資料種別
記事
著者
中村 なぎさほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2018-01
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. EMT = The papers of technical meeting on electromagnetic theory, IEE Japan / 電磁界理論研究会 [編] 2018(1-37・39-57):2018.1.25・26
掲載ページ
p.121-126
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
中村 なぎさ
冨安 高弘
平谷 拓生
井上 大輔
瓜生 達也
雨宮 智宏
西山 伸彦
荒井 滋久
並列タイトル等
Low Current and High Speed Operation of Membrane Distributed-Reflector Laser on Silicon
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. EMT = The papers of technical meeting on electromagnetic theory, IEE Japan / 電磁界理論研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2018(1-37・39-57):2018.1.25・26
掲載巻
2018
掲載号
1-37・39-57