塗布形成した三酸化モ...

塗布形成した三酸化モリブデン正孔注入層を用いたトップゲート有機電界効果トランジスタの移動度改善

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塗布形成した三酸化モリブデン正孔注入層を用いたトップゲート有機電界効果トランジスタの移動度改善

国立国会図書館請求記号
Z16-554
国立国会図書館書誌ID
029312337
資料種別
記事
著者
饗庭 智也ほか
出版者
東京 : 日本画像学会
出版年
2018
資料形態
掲載誌名
日本画像学会誌 = Journal of the Imaging Society of Japan 57(5)=235:2018
掲載ページ
p.537-542
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
饗庭 智也
永瀬 隆
小林 隆史
貞光 雄一
内藤 裕義
並列タイトル等
Improvement of Field-effect Mobility in Top-gate Organic Field-effect Transistors Using Solution-processed Molybdenum Trioxide Hole Injection Layers
タイトル(掲載誌)
日本画像学会誌 = Journal of the Imaging Society of Japan
巻号年月日等(掲載誌)
57(5)=235:2018
掲載巻
57
掲載号
5
掲載通号
235