Schottky Barrier Height Reduction of Pd₂Si/Si(100) Diodes by Dopant Segregation Process (シリコン材料・デバイス)

Schottky Barrier Height Reduction of Pd₂Si/Si(100) Diodes by Dopant Segregation Process

(シリコン材料・デバイス)

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資料種別: 記事
タイトル: Schottky Barrier Height Reduction of Pd₂Si/Si(100) Diodes by Dopant Segregation Process
著者・編者: Rengie Mark D. MAILIG
Min Gee KIM
Shun-ichiro OHMI
シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
著者標目: Rengie Mark D. MAILIG
Min Gee KIM
Shun-ichiro OHMI
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 118(241):2018.10.17・18
掲載巻: 118
掲載号: 241
掲載ページ: 35-40
掲載年月日（W3CDTF）: 2018-10
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: Palladium Silicide
Dopant Segregation Process
Schottky Barrier Height
TiN Encapsulating Layer
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: SDM2018-59
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 029324818
http://id.ndl.go.jp/bib/029324818
整理区分コード: 632