シリコンのPECエッチングによる高アスペクト比ナノスケール微細孔の作製

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シリコンのPECエッチングによる高アスペクト比ナノスケール微細孔の作製

国立国会図書館請求記号
YH247-299
国立国会図書館書誌ID
029905371
資料種別
記事
著者
安藤 妙子ほか
出版者
[東京] : Institute of Electrical Engineers of Japan
出版年
2018
資料形態
記録メディア
掲載誌名
「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集 電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 35:2018.10.30-11.1
掲載ページ
p.3p
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書誌情報

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記録メディア

資料種別
記事
著者・編者
安藤 妙子
東野 純也
田村 宜通
並列タイトル等
Fabrication of High-Aspect Nanoscale Hole in Si with Photo-Electro-Chemical Etching
タイトル(掲載誌)
「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集 電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
35:2018.10.30-11.1
掲載巻
35
掲載ページ
3p
掲載年月日(W3CDTF)
2018