依頼講演 Co/Si界面の酸化物層がショットキー障壁高さと接触抵抗に及ぼす影響 (シリコン材料・デバイス)

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依頼講演 Co/Si界面の酸化物層がショットキー障壁高さと接触抵抗に及ぼす影響

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
030074183
資料種別
記事
著者
城戸 光一ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2019-10
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(239):2019.10.23・24
掲載ページ
p.35-38
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
城戸 光一
佐藤 謙
黒田 理人
安藤 大輔
須藤 祐司
小池 淳一
シリーズタイトル
並列タイトル等
Effect of an oxide layer at Co/Si interface on Schottky barrier height and contact resistivity
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
119(239):2019.10.23・24
掲載巻
119
掲載号
239