雑誌顕微鏡
低エネルギー電子線照...

低エネルギー電子線照射によるアモルファスGeSnの結晶化 (特集 電子線照射下における材料挙動)

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低エネルギー電子線照射によるアモルファスGeSnの結晶化(特集 電子線照射下における材料挙動)

国立国会図書館請求記号
Z16-896
国立国会図書館書誌ID
030169025
資料種別
記事
著者
石丸 学ほか
出版者
東京 : 日本顕微鏡学会
出版年
2019
資料形態
掲載誌名
顕微鏡 = Microscopy / 「顕微鏡」編集委員会 編 54(3):2019
掲載ページ
p.126-130
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
石丸 学
仲村 龍介
並列タイトル等
Low-Energy Electron-Beam Induced Crystallization of Amorphous GeSn
タイトル(掲載誌)
顕微鏡 = Microscopy / 「顕微鏡」編集委員会 編
巻号年月日等(掲載誌)
54(3):2019
掲載巻
54
掲載号
3