オン時帰還容量低減と部分ライフタイム制御を適用した1200V級RC-IGBT (電子デバイス半導体電力交換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

オン時帰還容量低減と部分ライフタイム制御を適用した1200V級RC-IGBT

(電子デバイス半導体電力交換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

掲載誌名: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2020(65-76):2020.12.22

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資料種別: 記事
タイトル: オン時帰還容量低減と部分ライフタイム制御を適用した1200V級RC-IGBT
著者・編者: 曽根田真也
新田哲也
古川彰彦
シリーズタイトル: 電子デバイス半導体電力交換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
著者標目: 曽根田真也
新田哲也
古川彰彦
並列タイトル等: 1200V RC-IGBT with Suppressed Dynamic Cres and Partial Lifetime Control
タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
巻号年月日等（掲載誌）: 2020(65-76):2020.12.22
掲載巻: 2020
掲載号: 65-76
掲載ページ: 45-49
掲載年月日（W3CDTF）: 2020-12-22
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 帰還容量
ライフタイム制御
RC-IGBT
電圧テール
Cres
Lifetime control
Voltage tail
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: EDD-20-73
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z43-225
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 031280362
http://id.ndl.go.jp/bib/031280362
整理区分コード: 632