微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン (集積回路)

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微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン

(集積回路)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10306777
資料種別
記事
著者
後藤 正和ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2009-07
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109(134) 2009.7.16・17
掲載ページ
p.53~56
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
後藤 正和
川中 繁
犬宮 誠司 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
The study of mobility-Tinv trade-off in deeply scaled high-k/metal gate devices and scaling design guideline for 22nm-node generation
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
109(134) 2009.7.16・17
掲載巻
109
掲載号
134