再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs (電子デバイス)

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再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs

(電子デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
10553894
Material type
記事
Author
廣木 正伸ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2010-01
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109(360) 2010.1.13-15
Publication Page
p.71~76
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
廣木 正伸
前田 就彦
重川 直輝
Series Title
Alternative Title
Compressively strained InAlN/AlGaN/GaN FETs with regrown AlGaN contact layers
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
109(360) 2010.1.13-15
Volume
109
Issue
360