InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD (Silicon devices and materials)

InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD

(Silicon devices and materials)

国立国会図書館請求記号: Z16-940
国立国会図書館書誌ID: 10753368

資料種別: 記事

著者: Makoto Miyoshiほか

出版者: 東京 : 電子情報通信学会

出版年: 2010

資料形態: 紙

掲載誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(110) 2010.6-7.30-2

掲載ページ: p.241～244

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書誌情報

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紙

資料種別: 記事
タイトル: InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD
著者・編者: Makoto Miyoshi
Shigeaki Sumiya
Mikiya Ichimura 他
シリーズタイトル: Silicon devices and materials
著者標目: Makoto Miyoshi
Shigeaki Sumiya
Mikiya Ichimura
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 110(110) 2010.6-7.30-2
掲載巻: 110
掲載号: 110
掲載ページ: 241～244
掲載年月日（W3CDTF）: 2010
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: InAlN/GaN
HEMT
MOCVD
4-in silicon
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: SDM2010-106
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10753368
http://id.ndl.go.jp/bib/10753368
整理区分コード: 632

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