位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討 (光エレクトロニクス)

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位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討

(光エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10817326
資料種別
記事
著者
輪嶋 孝樹ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2010-08
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(180) 2010.8.26・27
掲載ページ
p.71~74
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
輪嶋 孝樹
荒川 太郎
多田 邦雄
シリーズタイトル
並列タイトル等
Theoretical analysis of property improvement of InGaAs/InAlAs five-layer asymmetric coupled quantum well for phase modulator by strain application
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
110(180) 2010.8.26・27
掲載巻
110
掲載号
180