デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 (電子デバイス)

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デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価

(電子デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10968906
資料種別
記事
著者
田島 正文ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2011-01
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(358) 2011.1.13・14
掲載ページ
p.41~44
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
田島 正文
橋詰 保
シリーズタイトル
並列タイトル等
Current collapse characterization of AlGaN/GaN HEMTs using by dual-gate structure
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
110(358) 2011.1.13・14
掲載巻
110
掲載号
358