RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 (シリコン材料・デバイス)

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RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
11116285
Material type
記事
Author
田畑 拓也ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2011-05
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(46) 2011.5.19・20
Publication Page
p.45~48
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
田畑 拓也
白 知鉉
本田 善央 他
Alternative Title
Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
111(46) 2011.5.19・20
Volume
111
Issue
46