ハフニウム酸化物への...

ハフニウム酸化物への元素添加効果--第一原理計算による検討 (シリコン材料・デバイス)

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ハフニウム酸化物への元素添加効果--第一原理計算による検討

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
11200257
資料種別
記事
著者
中山 利紀ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2011-07-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(114) 2011.7.4
掲載ページ
p.75~80
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
中山 利紀
川崎 裕
丸泉 琢也
シリーズタイトル
並列タイトル等
Effects of foreign atom incorporation into HfO2 dielectrics: examination using a first-principles method
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
111(114) 2011.7.4
掲載巻
111
掲載号
114