Dual metal/high-k gate-last complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with SiBN film and characteristic behavior in sub-1-nm equivalent oxide thickness

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資料種別: 記事
タイトル: Dual metal/high-k gate-last complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with SiBN film and characteristic behavior in sub-1-nm equivalent oxide thickness
著者・編者: Yoshiaki Kikuchi
Hitoshi Wakabayashi
Masanori Tsukamoto 他
著者標目: Yoshiaki Kikuchi
Hitoshi Wakabayashi
Masanori Tsukamoto
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 50(8) (1) 2011.8
掲載巻: 50
掲載号: 8
その他巻次: 1
掲載ページ: 084201-1～5
掲載年月日（W3CDTF）: 2011-08
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 11211398
http://id.ndl.go.jp/bib/11211398
整理区分コード: 632