ベリッドチャネル形nMOSFETによるソース/ドレーン対称構造のフラッシュメモリセル (ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)

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ベリッドチャネル形nMOSFETによるソース/ドレーン対称構造のフラッシュメモリセル

(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)

国立国会図書館請求記号
Z16-1852
国立国会図書館書誌ID
3985964
資料種別
記事
著者
尾田 秀一ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ
出版年
1996-06
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 79(6) 1996.06
掲載ページ
p.282~289
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
尾田 秀一
上野 修一
味香 夏夫 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
79(6) 1996.06
掲載巻
79
掲載号
6
掲載ページ
282~289