In Situ Microlithography of Si and GaAs by a Focused Ion Beam in a 200keV TEM

出版者: Oxford : Published for the Japanese Society of Electron Microscopy by Oxford University Press

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資料種別: 記事
タイトル: In Situ Microlithography of Si and GaAs by a Focused Ion Beam in a 200keV TEM
著者・編者: Kazuo Furuya
Tetsuya Saito
Isamu Yamada 他
著者標目: Kazuo Furuya
Tetsuya Saito
Isamu Yamada
タイトル（掲載誌）: Journal of electron microscopy
巻号年月日等（掲載誌）: 45(4) 1996.08
掲載巻: 45
掲載号: 4
掲載ページ: 291～297
掲載年月日（W3CDTF）: 1996-08
ISSN（掲載誌）: 0022-0744
出版事項（掲載誌）: Oxford : Published for the Japanese Society of Electron Microscopy by Oxford University Press
出版地（国名コード）: GB
本文の言語コード: eng
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-T76
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 4023197
http://id.ndl.go.jp/bib/4023197
整理区分コード: 632