減圧アニール法によるゾルゲルSrBi2Ta2O9薄膜の低温形成(ULSI用高誘電体・強誘電体薄膜材料技術)

掲載誌名: 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems 117(3) 1997.02

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資料種別: 記事
タイトル: 減圧アニール法によるゾルゲルSrBi2Ta2O9薄膜の低温形成
著者・編者: 牛久保真帆
横山誠一
伊藤康幸他
シリーズタイトル: ULSI用高誘電体・強誘電体薄膜材料技術
著者標目: 牛久保真帆
横山誠一
伊藤康幸
タイトル（掲載誌）: 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
巻号年月日等（掲載誌）: 117(3) 1997.02
掲載巻: 117
掲載号: 3
掲載ページ: 227～232
掲載年月日（W3CDTF）: 1997-02
ISSN（掲載誌）: 0385-4221
ISSN-L（掲載誌）: 0385-4221
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZN31
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-795
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 4149759
http://id.ndl.go.jp/bib/4149759
整理区分コード: 632