ヘルプ
ヘルプ
雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 38(2B)(494);FEBRUARY 1999
記事An Optoele...

An Optoelectronic Logic Gate Monolithically Integrating Resonant Tunneling Diodes and a Uni-Traveling-Carrier Photodiode (Special Issue: Indium Phosphide & Related Materials)

記事を表すアイコン

図書館・個人送信サービスを利用する

収録元データベースで確認する

国立国会図書館デジタルコレクション

国立国会図書館の登録利用者（本登録）の方を対象とした、個人送信サービスで閲覧可能です。ただし、日本国外に居住している場合は、個人送信サービスを利用できません。

利用者登録する >

ログインする >

デジタルデータあり（Japan Link Center）

すぐに読む

CiNii Research

An Optoelectronic Logic Gate Monolithically Integrating Resonant Tunneling Diodes and a Uni-Traveling-Carrier Photodiode(Special Issue: Indium Phosphide & Related Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
4688462
資料種別
記事
著者
Tomoyuki Akeyoshiほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
1999-02
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 38(2B) (通号 494) 1999.02
掲載ページ
p.1223～1226
すべて見る

資料詳細

要約等：

InP-based InGaAs/AlAs/InAs resonant tunneling diodes (RTDs) and a uni-traveling-carrier photodiode (UTC-PD) are monolithically integrated to construct...

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

連携機関・データベースの一覧

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    デジタル
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
    この本の所蔵を確認

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
タイトル
An Optoelectronic Logic Gate Monolithically Integrating Resonant Tunneling Diodes and a Uni-Traveling-Carrier Photodiode
著者・編者
Tomoyuki Akeyoshi
Naofumi Shimizu
Jiro Osaka 他
シリーズタイトル
Special Issue: Indium Phosphide & Related Materials
著者標目
Tomoyuki Akeyoshi
Naofumi Shimizu
Jiro Osaka
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
38(2B) (通号 494) 1999.02
掲載巻
38
掲載号
2B
掲載通号
494