3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性 (特集 VLSIデバイス及び回路技術(低電圧・低電力・高速))

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3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性

(特集 VLSIデバイス及び回路技術(低電圧・低電力・高速))

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
4793943
資料種別
記事
著者
岩田 直高ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
1999-06-25
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 99 (通号 150) 1999.06.25
掲載ページ
p.77~82
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
岩田 直高
西村 武史
加藤 武彦 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
99 (通号 150) 1999.06.25
掲載巻
99
掲載通号
150
掲載ページ
77~82