Uniform and Thermally Stable Co Salicide Formation for Sub-Quarter-micron Dual-Gate CMOS Devices

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Uniform and Thermally Stable Co Salicide Formation for Sub-Quarter-micron Dual-Gate CMOS Devices

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
4830449
資料種別
記事
著者
角 博文ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
1999-07-22
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 99 (通号 231) 1999.07.22
掲載ページ
p.105~110
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
角 博文
末永 淳
岡本 裕
並列タイトル等
サブクオーターミクロンルールのデュアルゲートを伴ったCMOSデバイスに対応したCoサリサイドの開発
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
99 (通号 231) 1999.07.22
掲載巻
99
掲載通号
231
掲載ページ
105~110