ELOによりWNx電極を埋込むGaN構造の作製と評価 (特集 結晶成長及び評価技術及び一般(化合物,Si,電子材料,太陽電池,高耐圧大電力素子等))

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ELOによりWNx電極を埋込むGaN構造の作製と評価

(特集 結晶成長及び評価技術及び一般(化合物,Si,電子材料,太陽電池,高耐圧大電力素子等))

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
5408949
資料種別
記事
著者
灰野 正紘ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2000-05-18
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 100 (通号 61) 2000.05.18
掲載ページ
p.41~46
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
灰野 正紘
山口 元男
元垣内 敦司 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
100 (通号 61) 2000.05.18
掲載巻
100
掲載通号
61
掲載ページ
41~46