Design and Developement of 1.55μm Single-Mode Semiconductor Lasers Consisting of Deeply Etched Grooves Buried with Benzocyclobutene (小特集テーマ光機能有機材料・デバイス・光非線形現象,一般・その他)

Design and Developement of 1.55μm Single-Mode Semiconductor Lasers Consisting of Deeply Etched Grooves Buried with Benzocyclobutene

(小特集テーマ光機能有機材料・デバイス・光非線形現象,一般・その他)

国立国会図書館請求記号: Z16-940
国立国会図書館書誌ID: 5565700

資料種別: 記事

著者: Jorg Wiedmannほか

出版者: 東京 : 電子情報通信学会

出版年: 2000-10-13

資料形態: 紙

掲載誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 100(349) 2000.10.13

掲載ページ: p.19～24

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書誌情報

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紙

資料種別: 記事
タイトル: Design and Developement of 1.55μm Single-Mode Semiconductor Lasers Consisting of Deeply Etched Grooves Buried with Benzocyclobutene
著者・編者: Jorg Wiedmann
Mothi Madhan Raj
海老原幸司他
シリーズタイトル: 小特集テーマ光機能有機材料・デバイス・光非線形現象,一般・その他
著者標目: Jorg Wiedmann
Mothi Madhan Raj
海老原幸司
並列タイトル等: 深いエッチング溝にBCBを埋め込んだ1.55μm波長帯単一モード半導体レーザの設計と試作
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 100(349) 2000.10.13
掲載巻: 100
掲載号: 349
掲載ページ: 19～24
掲載年月日（W3CDTF）: 2000-10-13
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: DBRレーザ
CCレーザ
GaInAsP InP
CH4 H2-RIE
ベンゾシクロブテン
DBR laser
CC laser
Benzocyclobutene
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: OPE2000-70
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 5565700
http://id.ndl.go.jp/bib/5565700
整理区分コード: 632

Design and Developement of 1.55μm Single-Mode Semiconductor Lasers Consisting of Deeply Etched Grooves Buried with Benzocyclobutene

(小特集テーマ 光機能有機材料・デバイス・光非線形現象,一般・その他)

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紙

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