Memory Operation and Electron Charging Characteristics of Silicon Quantum-Dot Floating-Gate MOSFETs (2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2001))

Memory Operation and Electron Charging Characteristics of Silicon Quantum-Dot Floating-Gate MOSFETs

(2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2001))

国立国会図書館請求記号: Z16-940
国立国会図書館書誌ID: 5874209

資料種別: 記事

著者: A. Kohnoほか

出版者: 東京 : 電子情報通信学会

出版年: 2001-07-05

資料形態: 紙

掲載誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 101(163) 2001.7.5

掲載ページ: p.105～109

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紙

資料種別: 記事
タイトル: Memory Operation and Electron Charging Characteristics of Silicon Quantum-Dot Floating-Gate MOSFETs
著者・編者: A. Kohno
M. Ikeda
H. Murakami 他
シリーズタイトル: 2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2001)
著者標目: A. Kohno
M. Ikeda
H. Murakami
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 101(163) 2001.7.5
掲載巻: 101
掲載号: 163
掲載ページ: 105～109
掲載年月日（W3CDTF）: 2001-07-05
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: silicon quantum-dot
MOS memory
floating gate
electron charging
multiple-step charging
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: SDM2001-76
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 5874209
http://id.ndl.go.jp/bib/5874209
整理区分コード: 632