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雑誌表面科学
巻号23(6) 2002.6
記事XAFS測定の半導体...

XAFS測定の半導体への応用 (特集:X線吸収微細構造(XAFS)による表面,界面の解析)

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CiNii Research

XAFS測定の半導体への応用(特集:X線吸収微細構造(XAFS)による表面,界面の解析)

国立国会図書館請求記号
Z15-379
国立国会図書館書誌ID
6184712
資料種別
記事
著者
大渕 博宣ほか
出版者
東京 : 日本表面科学会
出版年
2002-06
資料形態
デジタル
掲載誌名
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編 23(6) 2002.6
掲載ページ
p.367～373
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資料詳細

要約等：

We demonstrated that fluorescence XAFS measurements can reveal the local structures around dilute elements in thin semiconductor layers. In the GaAs s...

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
XAFS測定の半導体への応用
著者・編者
大渕 博宣
田渕 雅夫
竹田 美和
シリーズタイトル
特集:X線吸収微細構造(XAFS)による表面,界面の解析
著者標目
大渕 博宣
田渕 雅夫
竹田 美和
タイトル（掲載誌）
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
巻号年月日等（掲載誌）
23(6) 2002.6
掲載巻
23
掲載号
6
掲載ページ
367～373