InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価 (結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等)--小特集:3族窒化物研究の最前線)

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InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価

(結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等)--小特集:3族窒化物研究の最前線)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
6188408
資料種別
記事
著者
大賀 涼ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2002-05-24
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102(79) 2002.5.24
掲載ページ
p.25~30
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
大賀 涼
李 祐植
藤原 康文 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
102(79) 2002.5.24
掲載巻
102
掲載号
79
掲載ページ
25~30