Formation of [111] Preferentially Oriented Cu Layer on [110] Nb Barrier on SiO2 (AWAD2002(Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices))

Formation of [111] Preferentially Oriented Cu Layer on [110] Nb Barrier on SiO2

(AWAD2002(Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices))

国立国会図書館請求記号: Z16-940
国立国会図書館書誌ID: 6267848

資料種別: 記事

著者: Md. Maniruzzamanほか

出版者: 東京 : 電子情報通信学会

出版年: 2002-07-01

資料形態: 紙

掲載誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102(175) 2002.7.1

掲載ページ: p.111～114

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書誌情報

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紙

資料種別: 記事
タイトル: Formation of [111] Preferentially Oriented Cu Layer on [110] Nb Barrier on SiO2
著者・編者: Md. Maniruzzaman
Mayumi B. Takeyama
Atsushi Noya
シリーズタイトル: AWAD2002(Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
著者標目: Md. Maniruzzaman
Mayumi B. Takeyama
Atsushi Noya
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 102(175) 2002.7.1
掲載巻: 102
掲載号: 175
掲載ページ: 111～114
掲載年月日（W3CDTF）: 2002-07-01
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: metallization
diffusion barrier
preferred orientation
copper
niobium
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2002-140
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 6267848
http://id.ndl.go.jp/bib/6267848
整理区分コード: 632