炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集 ; 特集論文)

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炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果

(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集 ; 特集論文)

Call No. (NDL)
Z16-607
Bibliographic ID of National Diet Library
6534955
Material type
記事
Author
吉川 正人ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ
Publication date
2003-04
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編 86(4) (通号 424) 2003.4
Publication Page
p.426~433
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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
吉川 正人
石田 夕起
直本 保 他
Periodical title
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編
No. or year of volume/issue
86(4) (通号 424) 2003.4
Volume
86
Issue
4
Sequential issue number
424