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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 42(6B)(578);JUNE 2003
記事Multiple-S...

Multiple-Step Electron Charging in Silicon-Quantum-Dot Floating Gate Metal-Oxide-Semiconductor Memories (Special Issue: Microprocesses & Nanotechnology)

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CiNii Research

Multiple-Step Electron Charging in Silicon-Quantum-Dot Floating Gate Metal-Oxide-Semiconductor Memories(Special Issue: Microprocesses & Nanotechnology)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6588802
資料種別
記事
著者
Mitsuhisa Ikedaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2003-06
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 42(6B) (通号 578) (Special Issue) 2003.6
掲載ページ
p.4134～4137
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資料詳細

要約等：

The drain current versus gate voltage characteristics of metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) with silicon-quantum-dots (Si-QD...

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
Multiple-Step Electron Charging in Silicon-Quantum-Dot Floating Gate Metal-Oxide-Semiconductor Memories
著者・編者
Mitsuhisa Ikeda
Yusuke Shimizu
Hideki Murakami 他
シリーズタイトル
Special Issue: Microprocesses & Nanotechnology
著者標目
Mitsuhisa Ikeda
Yusuke Shimizu
Hideki Murakami
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
42(6B) (通号 578) (Special Issue) 2003.6
掲載巻
42
掲載号
6B
掲載通号
578