イオン照射によりSi...

イオン照射によりSi基板に導入された格子歪みの深さ方向分布の解析

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イオン照射によりSi基板に導入された格子歪みの深さ方向分布の解析

国立国会図書館請求記号
Z15-561
国立国会図書館書誌ID
7978151
資料種別
記事
著者
榎本 貴志ほか
出版者
大阪 : 日本放射光学会
出版年
2006-05
資料形態
掲載誌名
放射光 : 日本放射光学会誌 = Journal of the Japanese Society for Synchrotron Radiation Research / 日本放射光学会 編 19(3) 2006.5
掲載ページ
p.151~158
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
榎本 貴志
Parlapalli Venkata Satyam
秋本 晃一
タイトル(掲載誌)
放射光 : 日本放射光学会誌 = Journal of the Japanese Society for Synchrotron Radiation Research / 日本放射光学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
19(3) 2006.5
掲載巻
19
掲載号
3
掲載ページ
151~158
掲載年月日(W3CDTF)
2006-05