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Growth and Chractertics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia

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Growth and Chractertics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia

国立国会図書館請求記号
Z54-J337
国立国会図書館書誌ID
7989413
資料種別
記事
著者
Fawang Yanほか
出版者
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版年
2006-07
資料形態
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 45(24-28) (通号 443) 2006.7
掲載ページ
p.L697~700
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
Fawang Yan
Katsushi Nishino
Shiro Sakai
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
巻号年月日等(掲載誌)
45(24-28) (通号 443) 2006.7
掲載巻
45
掲載号
24-28
掲載通号
443
掲載ページ
L697~700