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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号106(135)-106(139) 20060700-20060700
記事GaN-Based ...

GaN-Based Vertical Field Effect Transistors with High Current Density Fabricated Using Self-Aligned Process (AWAD2006)

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GaN-Based Vertical Field Effect Transistors with High Current Density Fabricated Using Self-Aligned Process

(AWAD2006)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
8015995
資料種別
記事
著者
森田 竜夫ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2006-07
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106(137) 2006.7.3-5
掲載ページ
p.185～188
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紙

資料種別
記事
タイトル
GaN-Based Vertical Field Effect Transistors with High Current Density Fabricated Using Self-Aligned Process
著者・編者
森田 竜夫
中澤 敏志
上田 哲三 他
シリーズタイトル
AWAD2006
著者標目
森田 竜夫
中澤 敏志
上田 哲三
並列タイトル等
セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
106(137) 2006.7.3-5
掲載巻
106
掲載号
137