ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響

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ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
8539863
Material type
記事
Author
淀 徳男ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2006-10
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106(270) 2006.10.5・6
Publication Page
p.45~49
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
淀 徳男
白石 雄起
平田 清隆 他
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
106(270) 2006.10.5・6
Volume
106
Issue
270
Pages
45~49
Publication date of volume/issue (W3CDTF)
2006-10