Low temperature hetero-epitaxy of ferromagnetic silicide on Ge substrates for spin-transistor application (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

Low temperature hetero-epitaxy of ferromagnetic silicide on Ge substrates for spin-transistor application

(Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

国立国会図書館請求記号: Z16-940
国立国会図書館書誌ID: 8803939

資料種別: 記事

著者: 安藤裕一郎ほか

出版者: 東京 : 電子情報通信学会

出版年: 2007-06

資料形態: 紙

掲載誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(111) 2007.6.25-27

掲載ページ: p.221～224

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書誌情報

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紙

資料種別: 記事
タイトル: Low temperature hetero-epitaxy of ferromagnetic silicide on Ge substrates for spin-transistor application
著者・編者: 安藤裕一郎
上田公二
熊野守他
シリーズタイトル: Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)
著者標目: 安藤裕一郎
上田公二
熊野守
並列タイトル等: 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 107(111) 2007.6.25-27
掲載巻: 107
掲載号: 111
掲載ページ: 221～224
掲載年月日（W3CDTF）: 2007-06
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: 強磁性体シリサイド
Fe3Si
Ge
分子線エピタキシャル成長
Ferromagnetic silicide
Molecular beam epitaxy
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: SDM2007-106
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 8803939
http://id.ndl.go.jp/bib/8803939
整理区分コード: 632