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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number107(110)-107(111) 20070600-20070600
ArticleLow temper...

Low temperature hetero-epitaxy of ferromagnetic silicide on Ge substrates for spin-transistor application (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

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Low temperature hetero-epitaxy of ferromagnetic silicide on Ge substrates for spin-transistor application

(Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
8805133
Material type
記事
Author
安藤 裕一郎ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2007-06
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(110) 2007.6.25-27
Publication Page
p.221～224
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Paper

Material Type
記事
Title
Low temperature hetero-epitaxy of ferromagnetic silicide on Ge substrates for spin-transistor application
Author/Editor
安藤 裕一郎
上田 公二
熊野 守 他
Series Title
Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)
Author Heading
安藤 裕一郎
上田 公二
熊野 守
Alternative Title
強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
107(110) 2007.6.25-27
Volume
107
Issue
110